江川, 孝志, 石川, 博康, 趙, 廣元, 神保, 孝志, 梅野, 正義
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス
J83-C
(4),
253-260,
2000-04-20
...MOCVD)法を用いてAlGaN/GaNヘテロ構造を成長し,更にリセスゲートプロセスを用いてAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製した.50K以下の低温にてシートキャリヤ密度が一定になる2次元電子ガス特有の特性が観察された.8.9Kにおいて移動度は12000cm2/Vs,シートキャリヤ密度は2.8×1012cm-2であった.このような高品質の薄膜に変調ドープを行い,リアクティブイオンエッチング...
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