静電誘導サイリスタ静電誘導サイリスタの概要

概要

東北大学の西澤潤一によって開発された。高周波で低損失でON-OFFが可能で増幅作用はない。その特性上、電動機の可変電圧可変周波数制御や周波数変換などに使用される。

構造

トリガ電圧が低く、ターンオフが速やかで自己制御型のGTOのようなON-OFF素子で東洋電機によって1988年に発売された。静電誘導素子の一種で高出力、高周波数の電力用半導体素子である^[1]。実質的にはp+の電極状のゲート構造を備えたp+nn+ダイオードである。素子の構造はアノード側に付加されたp+層以外は概ね静電誘導トランジスタと同じ^[2]。

通常は導通状態でOFFにするためには負の電圧を付加する必要がある。静電誘導サイリスタの導通状態はPINダイオードの挙動に似る^[2]。

特許

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静電誘導型半導体デバイスの製造方法

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脚注

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「静電誘導サイリスタ」の続きの解説一覧

1 静電誘導サイリスタとは
2 静電誘導サイリスタの概要

[1] ダイオードと静電誘導トランジスタ・サイリスタ

[STATIC-2] STATIC INDUCTION THYRISTOR (SITH) INTRODUCTION

[1]

[2]

表話編歴半導体
分類	P型半導体 N型半導体真性半導体不純物半導体
種類	窒化物半導体酸化物半導体アモルファス半導体磁性半導体有機半導体
半導体素子	集積回路マイクロプロセッサ半導体メモリ TTL論理素子
バンド理論	バンド構造バンド図バンド計算第一原理バンド計算伝導帯価電子帯禁制帯フェルミ準位不純物準位自由電子正孔ドーパントドナーアクセプタ物性物理学
トランジスタ	バイポーラトランジスタ絶縁ゲートバイポーラトランジスタ電界効果トランジスタ薄膜トランジスタ MOSFET パワーMOSFET CMOS HEMT サイリスタ静電誘導サイリスタゲートターンオフサイリスタ UJT
関連	ダイオード太陽電池
関連項目	pn接合ホモ接合ヘテロ接合単一ヘテロ接合ダブルヘテロ接合空乏層金属半導体接合ショットキー接合オーミック接触電子工学パワーエレクトロニクス電力用半導体素子光エレクトロニクス電子回路増幅回路高周波回路半導体工学半導体デバイス製造金属絶縁体熱酸化フィラデルフィア半導体指数
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