三菱電機（株）は、業界最大の搭載規模を実現したシステムLSI『eRAM/SI
0.25ミクロンHyper DRAMシリーズ』の受注を開始した。同社は初年度で50億円の受注を見込んでいる。
eRAM/SI（エンベデッドRAM・システム・インテグレーション）は、顧客仕様に基づいて開発されるDRAM・マイコン・ロジック混載LSIシリーズで、ロジックセル（最大400万ゲート）、DRAMコア（最大64Mbit）、32bitRISC
CPUコア（M32R/I）、アナログセルをひとつのチップに混載できるよう、Hyper
DRAMプロセステクノロジー対応のライブラリーを準備。このライブラリーは高速化、低消費電力化を実現、同社従来品に比べ、DRAM部が4倍、ロジック部が1.7倍高速になり、70パーセント低消費電力になったという。また、ソフトとハードの協調動作の検証ができる“コシミュレーション環境”を構築。ハードウェア製造前に、システム上の不具合を見つけることができ、設計期間を約40パーセント短縮できるようになったという。
DRAMとロジックの1チップ化により低消費電力化と小型化を両立、ノートPCに搭載すればデスクトップPC並みのグラフィックス機能が実現できるという。第4四半期には256Mbit対応の0.18ミクロンHyper
DRAMライブラリの受注も開始する予定。(報道局 酒寄公子)
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