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Siデバイス・プロセス技術の開発史 (極限追及と実用化) 単行本（ソフトカバー） – 2017/3/27

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購入オプションとあわせ買い

本書は、おおよそ1965年から2000年に至る約35年間のNTT研究所におけるシリコン(Si)半導体のデバイス・プロセス技術の研究開発史をまとめたものである。

第1章ではSi半導体技術の開発経緯の概要、第2章ではバイポーラおよびMOS形Siデバイスの超高速化、高集積化、低エネルギー化の研究実用化の主な歴史、第3章はデバイス製造の基盤となるリソグラフィなどの11種類の主要なプロセス技術を選び、その開発の歴史、第4章はSiデバイス・プロセス技術に関する外部への技術移転と外部機関から受けた表彰のまとめから構成した。
本書に記述された具体的な苦闘の歴史が、技術開発に奮闘しておられる研究者、技術者、研究管理者、これから技術開発を担うことを目指しておられる学生の皆さんに、何らかのヒントやアイデアを得る上で役に立つものと期待している。
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  1. 言語
    日本語
  2. 出版社
    サイバー出版センター
  3. 発売日
    2017/3/27
  4. ISBN-10
    4908520127
  5. ISBN-13
    978-4908520129
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登録情報

  • 出版社 ‏ : ‎ サイバー出版センター; A4版 (2017/3/27)
  • 発売日 ‏ : ‎ 2017/3/27
  • 言語 ‏ : ‎ 日本語
  • ISBN-10 ‏ : ‎ 4908520127
  • ISBN-13 ‏ : ‎ 978-4908520129
  • カスタマーレビュー:
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