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山崎 浩
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よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門 単行本 – 2002/8/1

山崎 浩 (著)
5つ星のうち3.9 12
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  1. 本の長さ
    205ページ
  2. 言語
    日本語
  3. 出版社
    日刊工業新聞社
  4. 発売日
    2002/8/1
  5. ISBN-10
    4526049751
  6. ISBN-13
    978-4526049750
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商品の説明

内容（「MARC」データベースより）

パワーMOSFETやIGBTをパワーデバイスとして使うための上手な使い方、選び方を著者の経験を生かしたアドバイスをもとやさしく解説した入門書。

登録情報

  • 出版社 ‏ : ‎ 日刊工業新聞社 (2002/8/1)
  • 発売日 ‏ : ‎ 2002/8/1
  • 言語 ‏ : ‎ 日本語
  • 単行本 ‏ : ‎ 205ページ
  • ISBN-10 ‏ : ‎ 4526049751
  • ISBN-13 ‏ : ‎ 978-4526049750
  • カスタマーレビュー:
    5つ星のうち3.9 12

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上位レビュー、対象国： 日本

たかたか
5つ星のうち5.0 非常に良い!
2020年5月6日に日本でレビュー済み
Amazonで購入
注文後すぐ発送され、手元に届きました。
物も中古とは思えないくらい良品でした
役に立った
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趣味悠々
5つ星のうち5.0 実用書として役に立ちました。
2012年12月30日に日本でレビュー済み
Amazonで購入
特殊な電気回路を設計しようと考えて、本書を購入しました。基礎知識を得て、回路シュミレーションし、試作器を完成させました。大いに役にたちました。
3人のお客様がこれが役に立ったと考えています
役に立った
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Bee Technologies
5つ星のうち4.0 データシートの見方から応用回路まで
2003年12月12日に日本でレビュー済み
パワーMOSFET,IGBTのデータシートの読み方が親切に解説してある。また、応用技術として、駆動回路説明もあり、解りやすい。これはタイトル通りである。また、ダイオードのリカバリーノイズについても少しだが解説されていた。逆回復特性はノイズに影響する。私はデバイスモデリングを職業でしているので、シミュレーションでも把握できる。ノイズを減らす為にはどのような逆回復特性が必要かの認識が重要である。私は逆回復特性をtrj+trbに分割して、検討している。
この書籍でデータシートから何を読み取るかという事を再認識し、また、応用回路で理解を深められた書籍である。
11人のお客様がこれが役に立ったと考えています
役に立った
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