OCMG法とは? わかりやすく解説

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OCMG法(酸素制御溶融法)

 Oxygen Controlled Melt Growthの略で、RE123系バルク超電導体結晶成長法の一種溶融成長Melt Growth)法とは、一旦、超電導体分解温度以上に加熱して溶融させてから冷却し結晶成長を行うもので、結晶粒大きくすることができる。通常種結晶用いて一つ結晶粒のみを大きく成長させる手法併用される。また、結晶化の際、第2相であるRE211常電導相がRE123系バルク超電導相内析出される。この析出相がピン止め点として作用し、高臨界電流密度および高臨界磁場達成しその結果として高い磁場発生を得ることができる。LRE123(LRE軽希土類元素)系の場合LREBa置換による超電導転移温度低下生じやすいが、結晶成長中に酸素分圧制御Oxygen Controlled)することでこの置換抑制し特性超電導体作製することができる。



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