High-Electron-Mobility-Transistor

デジタル大辞泉

ヘムト【HEMT】

読み方：へむと

《high electron mobility transistor》異種の半導体間のヘテロ接合面において、電子が高速で移動する性質を利用した半導体素子。ガリウム砒素（GaS）とアルミニウムガリウム砒素の組み合わせが知られる。高電子移動度トランジスター。

[補説] ヘテロFET（HFET）またはヘテロ接合FET（HJFET）とよばれることもある。→エフ‐イー‐ティー（FET）

富士通歴代製品

超高速半導体素子

1980年（昭和55年）、富士通が世界で初めて開発した、高速・低雑音性に優れたトランジスタです。HEMTとは「High Electron Mobility Transistor」の略。処理速度が高速のため、連続してデータ処理が必要である自動車レーダーシステム、携帯電話の基地局、カーナビなどに使われています。

光・電子デバイス用語集

HEMT (High Electron Mobility Transistor)

高電子移動度トランジスタ。半導体ヘテロ接合界面に二次元電子層を形成したことを特徴とする。低雑音・高利得の特性をもっている。

ウィキペディア

高電子移動度トランジスタ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/08/08 04:58 UTC 版)

高電子移動度トランジスタ（こうでんしいどうどトランジスタ、High Electron Mobility Transistor）は、半導体ヘテロ接合に誘起された高移動度の二次元電子ガス(2DEG)をチャネルとした電界効果トランジスタのことで、英語の単語の頭文字を取ってHEMT(ヘムト)と呼ばれる。1979年に富士通研究所の三村高志により発明された。構造上の特徴からヘテロFET (HFET、hetero-FET)、ヘテロ接合FET (HJFET、Hetero-Junction-FET)と呼ばれることもある。一般に化合物半導体で作製され、GaAs系、InP系、GaN系、SiGe系などがある。