走査電子顕微鏡基本用語集

反射電子　RE,BSE,BE: reflected electron,backscattered electron

入射電子が試料中において散乱する過程で、試料表面から再放出されたもの。エネルギー範囲は、入射電子エネルギーを最高値として極めて広く分布するが、一般的には50eV以上のエネルギーを持つもので、オージェ電子以外は反射電子と考えられている。後方散乱電子あるいは背面散乱電子と呼ばれることがある。

関連する用語

• オージェ電子
• 後方散乱電子

透過電子顕微鏡基本用語集

反射電子

【英】：backscattered electron

とは、入射電子が後方背面に反射(散乱)され、試料表面から飛び出す電子である。の強度は試料の原子番号が大きいほど大きい。のエネルギーは入射電子のエネルギーに近いので、二次電子のエネルギーより高い。また、は二次電子よりも深い所(表面から100nm以内)から飛び出すことができる。原子番号が大きいほどは多くなるので像から試料の組成の違いがわかる。または鏡面反射方向に強い強度を持つので試料表面の凹凸もわかる。試料が結晶の場合、の強度は試料に対する入射電子線の方位に強く依存する(電子チャンネリング)ので、試料の像を撮ると、試料中の結晶方位の違いを示す像が得られる。

関連する用語

• 反射電子検出器
• 二次電子
• 電子チャンネリング

説明に「反射電子」が含まれている用語

• ウィンドウレス（窓材無し）型EDS検出器
• トポグラフィー
• マイクロチャンネルプレート
• リターディング
• 走査電子顕微鏡
• 反射電子
• 反射電子検出器