三省堂 大辞林

ぶんし-せんエピタキシーほう ―はふ 10 【分子線―法】

〔molecular beam epitaxy〕超高真空下で原料となる金属などを加熱して分子線を発生させ、目標の基板の結晶に照射し薄膜を成長させる方法。最先端のデバイス開発に用いられる。分子線エピタキシャル法。MBE 。

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分子線エピタキシー法

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2011/10/09 00:17 UTC 版)

分子線エピタキシー法（ぶんしせんエピタキシーほう、 MBE; Molecular Beam Epitaxy ）は現在、半導体の結晶成長に使われている手法の一つである。真空蒸着法に分類され、物理吸着を利用する。 高真空のために、原料供給機構より放たれた分子が他の気体分子にぶつかることなく直進し、ビーム状の分子線となるのが名称の由来である。