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エサキダイオード 6 [Esaki diode]
〔発明者江崎玲於奈(れおな)の名にちなむ〕不純物濃度の高い半導体を用いたダイオード。トンネル効果による負性抵抗特性（電圧を上げると電流が減る性質）をもち、発信・増幅に利用される。トンネル-ダイオード。
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トンネルダイオード
別名：エサキダイオード
【英】tunnel diode
【英】tunnel diode
トンネルダイオードとは、量子トンネル効果を利用した電子素子（ダイオード）のことである。筑波大学の江崎玲於奈が発明した。
量子トンネル効果とは、きわめて微細な粒子が、古典力学的には超え出ることができないエネルギー障壁を、量子効果と呼ばれる特殊性質によって乗り越えてしまう現象のことである。不純物の多いpn接合の半導体などで量子トンネル効果による負性特性が応用されており、極超短波領域での増幅や発振などに用いられる。その性能は従来の比ではないとされる。
トンネルダイオードは1957年に発見された。江崎玲於奈はこの功績によってノーベル物理学賞を授与されている。そしてトンネルダイオードは、またエサキダイオードとも呼ばれる。
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トンネルダイオード
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2012/02/08 04:04 UTC 版)
(エサキ-ダイオード から転送)
トンネルダイオード（tunnel diode）または江崎ダイオード（Esaki diode）は、量子トンネル効果を使った半導体によるダイオードの一種で、高速動作を特徴としマイクロ波レベルの高周波回路でよく使われている。
- ^ Berlin, Leslie (2005). The Man Behind the Microchip: Robert Noyce and the Invention of Silicon Valley. Oxford University Press. ISBN 0195163435.
- ^ “ソニー半導体の歴史” (Japanese)
- ^ Tunnel diodes, the transistor killers, EE Times, retrieved 2 October 2009 [リンク切れ]
- ^ Fink 1975, pp. 7–35
- ^ Fink 1975, pp. 13–64
- ^ L.W. Turner,(ed), Electronics Engineer's Reference Book, 4th ed. Newnes-Butterworth, London 1976 ISBN 0 408 00168 pp. 8-18
- ^ Esaki, Leo; Arakawa, Yasuhiko; Kitamura, Masatoshi (2010). “Esaki diode is still a radio star, half a century on”Nature 464: 31. doi:10.1038/464031b. PMID 20203587.
[続きの解説]
「トンネルダイオード」の続きの解説一覧
- 1 トンネルダイオードとは
- 2 トンネルダイオードの概要
- 3 参考文献
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