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イオン-ちゅうにゅう ―にふ 4 【―注入】

ion implantation半導体不純物添加する方法の一。不純物イオン化してビームにし、電気的に制御しながら目的半導体注入するので、正確に添加量やその分布変えることができる。現在の IC 生産技術中核の一。


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イオン注入

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2011/12/19 17:10 UTC 版)

イオン注入(イオンちゅうにゅう、: ion implantation)は、物質イオン固体に注入する加工方法である。イオン注入は固体の特性を変化させる点で材料工学に属し、工業的には半導体の生産に使用され、金属表面処理など様々な材料科学の研究などが行われている。イオン注入は、対象の物質と別の元素を注入することにより、物質に化学的変化を与えると同時に、物質の破損または破壊など、構造的な変化も与える。


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  1. ^ 「半導体LSIのできるまで」編集委員会編著 『よくわかる半導体LSIのできるまで』 日刊工業新聞社、2004年、改訂第2版。ISBN 4-526-05375-9


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