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アバランシェダイオード

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2011/08/22 13:28 UTC 版)

(アヴァランシェ・ダイオード から転送)

回路図

アバランシェダイオード (ABD = Avalanche Breakdown Diode) は ダイオードの一種（通常シリコン（珪素）だが、他の半導体から作られることもある）で、特定の逆電圧にてアバランシェ降伏を起こすことにより、電圧リファレンスとして用いられるよう設計されたものである。

ツェナーダイオードは明らかに似た効果を持つが、こちらはツェナー降伏という別の動作メカニズムに依っている。実際にはどのダイオードにも両方の効果が存在するが、ふつうはどちらかが優勢である。典型的には、ツェナーダイオードは数十Vの最大電圧に限定されるが、シリコンアバランシェダイオードには4000Vを超える降伏電圧をもつものもある[1]。

主な特徴としてはマイクロ波及びミリ波において発振や増幅が可能である、雑音が多い、10GHz以上で高出力が得られる、大きな熱損失を生じる、などの点がある。